PHI 5000 Versaprobe II X射線光電子能譜儀

PHI 5000 Versaprobe II X射線光電子能譜儀是材料科學和發展的領域中zui廣泛使用的表面分析技術。其原理是利用X射線束（一般會使鋁陽極或鎂陽極）作為入射源，照射在樣品表面導致讓光電子從原子的核心層被激發出。根據測得的光電子所發出的電子動能，再依照能量守恒定律就可以知道電子的結合能，從而也就可知道樣品表面是何物質。
PHI 5000 Versaprobe II X射線光電子能譜儀能提供高性能的微區光譜，化學成像，二次電子成像，其zui小的X射線束光柵掃描直徑約為10微米。X射線束的大小可以輕易的使用電腦控制在直徑10微米到400微米設定，從而達到的空間解釋度與zui高的靈敏度。VP-II 可以輕易的對不管是導體或非導體獲取化學態的成像 或是離子濺射的深度分析，樣品例子如催化劑，金屬和電子設備，玻璃和聚合物，甚至是生物材料和組織等等。
維持了核心能力，包括掃描和聚焦 X 射線，的離子與電子雙中和系統，以及可以在極低電壓也可工作的高效能離子槍；另有可選項配置C60離子槍，提供了許多有機材料*而強大的濺射深度剖析能力；另外，一個*自動化的五軸樣品操盤促進多個樣品的自動分析并提供Zalar旋轉“Zalar RotationTM”的能力，可配合氬氣離子束或可選項配置的C60來進行濺射深度剖析。zui后，全新的操作界面SMARTSOFT-XPS，提供多技術儀器控制一個易于使用的平臺。在數據解釋和操縱總結中，對VP-II 的性能有著明顯的提高。